NVHL080N120SC1A

onsemi
863-NVHL080N120SC1A
NVHL080N120SC1A

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 13 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 20 ns
Serie: NVHL080N120SC1A
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 13 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Korea, Republik von
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NxHL080N120SC1 n-Kanal-SiC-MOSFETs

onsemi NxHL080N120SC1 n-Kanal-SiC-MOSFETs sind 1.200 V, 80 mΩ SiC-MOSFETs, die eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit bieten. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in kompakter Chip-Größe verfügbar, die eine niedrige Kapazität und niedrige Gate-Ladung gewährleistet. Die NxHL080N120SC1 MOSFETs verfügen über einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, ein Hochgeschwindigkeitsschalten, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs werden in TO247-3L-/TO247-3LD-Gehäusen geliefert. Die NVHL080N120SC1 und NVHL080N120SC1A MOSFETs sind gemäß AEC-Q101 für Fahrzeuganwendungen qualifiziert.

M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi   verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.

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