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NVMYS4D5N04CTWG

Name: onsemi NVMYS4D5N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS4D5N04CTWG
Price: 1.44 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMYS4D5N04CTWG

Herst.- Nr.:

NVMYS4D5N04CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V SL LFPAK

Datenblatt:

NVMYS4D5N04CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1,44 €	1,44 €
	0,92 €	9,20 €
	0,612 €	61,20 €
	0,483 €	241,50 €
	0,441 €	441,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,405 €	1.215,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	18 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	55 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	57 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	80 ns
Serie:	NVMYS4D5N04C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns

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Datenblatt

NVMYS4D5N04CTWG Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMYS4D5N04C Einzelne N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die einzelnen N-Kanal-Leistungs-MOSFETs NVMYS4D5N04C von onsemi wurden speziell für die Automobilindustrie entwickelt und sind in einem 5 mm x 6 mm LFPAK-Gehäuse untergebracht. Mit dem NVMYS4D5N04C von onsemi lassen sich kompakte und effiziente Designs realisieren und dabei eine hohe thermische Leistung sicherstellen. Die MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und somit für Fahrzeuganwendungen geeignet, die eine höhere Zuverlässigkeit auf Leiterebene erfordern.