TBC8x7 Bipolar Junction Transistors

Toshiba TBC8x7 Bipolar Junction Transistors (BJTs) are available in both NPN and PNP polarities. These transistors are offered in a compact, surface-mount SOT23-3 package. Toshiba TBC8x7 BJTs feature a wide storage temperature (Tstg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (TJ)of +150°C. These transistors are ideal for use in low-frequency amplifiers and communication devices.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Toshiba Bipolartransistoren - BJT BJT NPN 0.15A 50V
Datenblatt
24.317Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 150 mA 50 V 60 V 6 V 170 mV 320 mW 100 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Bipolartransistoren - BJT BJT PNP -0.15A -50V
Datenblatt
8.863Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 150 mA 50 V 50 V 5 V 220 mV 320 mW 80 MHz + 150 C TBC8X7 Reel, Cut Tape, MouseReel