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DMTH6004LPS-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6004LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6004LPS-13
Price: 1.88 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMTH6004LPS-13

Herst.- Nr.:

DMTH6004LPS-13

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 100A

Datenblatt:

DMTH6004LPS-13 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,88 €	1,88 €
	1,30 €	13,00 €
	0,92 €	92,00 €
	0,736 €	368,00 €
	0,713 €	713,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,676 €	1.690,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerDI5060-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	96.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	2.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	32.9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	17.7 ns
Serie:	DMTH6004
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	53.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.9 ns
Gewicht pro Stück:	96 mg

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Datenblatt

DMTH6004LPS-13 Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx-MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und schneller Schaltung. Diese MOSFETs sind außerdem zur Erfüllung der strengen Anforderungen von Fahrzeuganwendungen ausgelegt. Die DMTx MOSFETs von Diodes Incorporated eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad.

Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFET

Diodes Inc. DMTH6004 N-Kanal-Anreicherungsmodus MOSFETs sind zur Reduzierung des Durchlasswiderstands(R_DS(ON)) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung konzipiert. DMTH-MOSFETs liefern eine BV_DSS-Spannung von 60V und sind auf 175°C eingestellt. Diese MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement. Zu den Applikationen gehören ein Primärschalter in isoliertem DC-DC-Synchrongleichrichter und Lastschalter.
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