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TLVM13620RDHR

Name: Texas Instruments TLVM13620RDHR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TLVM13620RDHR
Price: 3.13 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-TLVM13620RDHR

Herst.- Nr.:

TLVM13620RDHR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Energieverwaltungsmodule High-Density 3V to 3 6V Input 1V to 6V

Datenblatt:

TLVM13620RDHR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,13 €	3,13 €
	2,17 €	21,70 €
	1,96 €	196,00 €
	1,86 €	465,00 €
	1,80 €	900,00 €
	1,75 €	1.750,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1,68 €	5.040,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Energieverwaltungsmodule
RoHS:
Produkt:	Power Modules
Eingangsspannung – Max:	36 V
Ausgangsspannung:	1 V to 6 V
Ausgangsstrom:	2 A
Schaltfrequenz:	200 kHz to 2.2 MHz
Marke:	Texas Instruments
Abmessungen:	6 mm x 4 mm x 1.8 mm
Eingangsspannung – Min:	3 V
Ladungsregulierung:	0.1 %
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	Power Management Modules
Serie:	TLVM13620
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Embedded Solutions

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Datenblatt

TLVM13620RDHR Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

TLVM13620 Synchrones Abwärts-Leistungsmodul

Das synchrone Abwärts-Leistungsmodul TLVM13620 von Texas Instruments ist eine hochintegrierte DC/DC-Lösung mit 36 V und 2 A. Dieses Bauteil kombiniert eine abgeschirmte Induktivität, Leistungs-MOSFETs und passive Bauelemente in einem verbesserten HotMesh™-QFN-Gehäuse. Das Modul enthält Pins für V_IN und V_OUT an den Gehäuseecken. Sie sind für die Platzierung des Eingangs- und Ausgangskondensators optimiert. Vier größere Wärme-Pads an der Unterseite des Moduls ermöglichen ein einfaches Layout und eine leichte Handhabung in der Fertigung.