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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Datenblatt
2.437Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Datenblatt
2.041Auf Lager
25.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Datenblatt
18Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 460 A 1.12 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
4.540erwartet ab 03.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 447 A 860 uOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 76 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
2.270erwartet ab 15.10.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
3.450erwartet ab 01.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 209 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
Datenblatt
5.000erwartet ab 28.01.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 15 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube