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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFWS1D5N08XT1G

Herst.- Nr.:

NTMFWS1D5N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Datenblatt:

NTMFWS1D5N08XT1G Datenblatt

ECAD Model:

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	2,06 €	20,60 €
	1,56 €	156,00 €
	1,35 €	675,00 €
	1,16 €	1.160,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO8FL-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	253 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.43 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	194 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	176 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	NTMFWS1D5N08X
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

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Datenblatt

NTMFWS1D5N08XT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTMFWS1D5N08X n-Einkanal-MOSFET

Der onsemi NTMFWS1D5N08X n-Einkanal-MOSFET enthält einen niedrigen Q_RR und eine Soft-Recovery-Bodydiode, um Schaltverluste zu reduzieren. Das NTMFWS1D5N08X Bauteil bietet einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und sorgt für einen effizienten Betrieb. Darüber hinaus tragen sein niedriger Q_G und seine Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste bei. Der onsemi NTMFWS1D5N08X n-Einkanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHs-konform.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.