RBRxx30ATL Schottky-Barriere-Dioden mit niedriger VF

ROHM Semiconductor RBRxx30ATL Schottky-Barriere-Dioden sind gemeinsame Kathoden-Doppel-Dioden mit niedriger VF und 30 V Sperrspannung (VR). Diese Dioden werden unter Verwendung einer Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise hergestellt und sind entweder in TO-263S- (D2PAK) oder TO-252-Gehäusen (DPAK) verfügbar. Die RBRxx60ANZ Barriere-Dioden von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige VF, hohe Zuverlässigkeit und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C betrieben. Diese Schottky-Barriere-Dioden eignen sich hervorragend für Schaltnetzteile und allgemeine Gleichrichtung.

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ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 40A, TO-263S (D2PAK) 945Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 40 A 30 V 520 mV 100 A 600 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 10A, TO-263S (D2PAK) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 30 V 550 mV 50 A 100 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 20A, TO-263S (D2PAK) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 30 V 550 mV 100 A 200 uA + 150 C Reel
ROHM Semiconductor Schottky Dioden & Gleichrichter Schottky Barrier Diode Low VF, 30V, 30A, TO-263S (D2PAK) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Rolle: 1.000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 30 V 550 mV 100 A 300 uA + 150 C Reel