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MCG080N06LHE3-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCG080N06LHE3-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCG080N06LHE3-TP
Price: 0.73 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

833-MCG080N06LHE3-TP

Herst.- Nr.:

MCG080N06LHE3-TP

Herst.:

Micro Commercial Components (MCC)

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,PDFN3333-B

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MCG080N06LHE3-TP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	0,731 €	0,73 €
	0,452 €	4,52 €
	0,293 €	29,30 €
	0,224 €	112,00 €
	0,184 €	184,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0,163 €	815,00 €

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Hersteller:	Micro Commercial Components (MCC)
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PDFN3333B-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	10.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	24 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2.3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2.5 ns
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.5 ns

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Datenblatt

MCG080N06LHE3-TP Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MCG080N06LHE3 Power MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCG080N06LHE3 Power MOSFET is a 60V (V_DS) N-channel MOSFET engineered to deliver high performance in compact power systems. This MOSFET is built with Trench MV MOSFET technology and features a high-density cell design for ultra-low R_DS(on), reducing conduction losses for efficient operation. The MCG080N06LHE3 MOSFET offers good thermal performance and a total gate charge of 10.5nC, making it well-suited for fast switching in high-frequency applications. The expanded drain pad helps disperse heat more effectively, supporting reliable high-current operation. This compact power MOSFET features a total power dissipation of 24W and is housed in a PDFN3333-B package. The AEC-Q101 qualification ensures durability and dependable operation in automotive and other high-reliability applications. The MCG080N06LHE3 MOSFET is ideal for automotive, industrial, and consumer electronics applications.