QPD0007 GaN-HF-Transistoren

Qorvo QPD0007 GaN-HF-Transistoren sind diskrete Einzelpfad-GaN-auf-SiC-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) in einem DFN-Gehäuse. Diese HF-Transistoren von Qorvo sind einstufige, unangepasste Transistoren, die eine P3dB-Ausgangsleistung von 20 W bei einem +48-V-Betrieb liefern können. Die QPD0007 Transistoren arbeiten im Frequenzbereich von DC bis 5 GHz und bieten einen Drain-Wirkungsgrad von 73 % bei 3,5 GHz. Zu den typischen Applikationen gehören WCDMA/LTE, Makrozellen-Basisstation, Mikrozellen-Basisstation, Universal-Kleinzellen, aktive Antenne und massive 5G-MIMO.