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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPB Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
Datenblatt
3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPC Tray
onsemi MOSFET-Module SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM 4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC SMD/SMT 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W Tray