NVMJST1D3N04CTXG

onsemi
863-NVMJST1D3N04CTXG
NVMJST1D3N04CTXG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TCPAK-10
N-Channel
1 Channel
40 V
386 A
1.39 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Abfallzeit: 9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 145 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 47 ns
Serie: NVMJST1D3N04C
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NVMJST1D3N04C n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der onsemi NVMJST1D3N04C n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist in einem TCPAK5x7-Gehäuse für kompakte, effiziente Designs und eine hohe thermische Leistungsfähigkeit verfügbar. Der NVMJST1D3N04C ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der NVMJST1D3N04C MOSFET von onsemi eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen, die eine verbesserte Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.