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NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTTFS007P02P8

Herst.- Nr.:

NTTFS007P02P8

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PT8P 20_8V FROM VANGUARD

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTTFS007P02P8 Datenblatt

ECAD Model:

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	0,657 €	6,57 €
	0,544 €	54,40 €
	0,522 €	261,00 €
	0,504 €	504,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,492 €	1.476,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PQFN-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	56 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	30 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	TH
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	68 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	80 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	33 ns
Serie:	NTTFS007P02P8
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	119 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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Datenblatt

NTTFS007P02P8 Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

Der P-Kanal-MOSFET onsemi NTTFS007P02P8 für Niederspannung und Mittelspannung ist mit der Hochleistungs-PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS_(on)-Schalt-Performance und Robustheit ausgestattet. Dieser MOSFET mit P-Kanal bietet eine hohe Leistungs- und Strombelastbarkeit in einem weit verbreiteten Oberflächenmontagegehäuse. Der MOSFET NTTFS007P02P8 verfügt über eine Drain-Source-Spannung von -20 V, eine Gate-Source-Spannung von ±8 V, einen thermischen Widerstand von 3,8 °C/W (Junction-to-Case) und einen Gate-Widerstand von 4,5 Ω. Dieser P-Kanal-MOSFET ist bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform. Typische Anwendungen umfassen Lastschalter, Batteriemanagement, Energiemanagement und Schutz gegen umgekehrte Polarität.