TC6215TG-G

Microchip Technology
689-TC6215TG-G
TC6215TG-G

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET

ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
150 V
3.8 A, 1.5 A
4 Ohms, 7 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Dual
Abfallzeit: 11.3 ns, 11.1 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 2.3 ns, 2.3 ns
Serie: TC6215
Verpackung ab Werk: 3300
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 17.2 ns, 16.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2.5 ns, 2.4 ns
Gewicht pro Stück: 74 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

TC6215 N- and P-Channel MOSFETs

The Microchip TC6215 N-channel and P-channel enhancement mode dual MOSFET combines an advanced vertical DMOS structure and a high-quality gate manufacturing process to provide both the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. The Microchip TC6215 consists of high voltage, low threshold N-channel and P-channel MOSFETs in an 8-lead SOIC (TG) package. Both MOSFETs included in the TC6215 have integrated back to back gate-source Zener diode clamps and guaranteed Rds(on) ratings down to 4.0V gate drive, allowing them to be driven directly with standard 5.0V CMOS logic. These Microchip devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.