TDS5311P.C

TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC

Die Semtech TDS5311P SurgeSwitch™ 1-Line 53 V EOS-Schutz-IC wurde entwickelt, um einen Hochenergie-EOS-Schutz mit hervorragenden Temperatur- und Klemmeigenschaften im Vergleich zu Standard-TVS-Bauteilen zu bieten. Das Bauteil verwendet einen stoßfesten FET als Hauptschutzelement. Bei einem EOS-Ereignis überschreitet die Transientenspannung des Bauteils seine Nenn-Durchschlagspannung. Der FET schaltet sich daraufhin ein und leitet transienten Strom an Masse. Die TDS-Klemmspannung ist über den Nenn-Spitzenimpulsstrombereich aufgrund des extrem niedrigen On-Widerstands des FET nahezu konstant. Durch die niedrigere Klemmspannung bei maximalem Spitzenimpulsstrom ist die IC für den Schutz heutiger empfindlicher ICs besser geeignet als Standard-TVS-Dioden. TDS5311P ist für den Schutz des Spannungsbus oder der Datenleitungen mit einer Betriebsspannung von bis zu 53 V konzipiert. Das Bauteil ist für einen Stoßstrom mit hoher Energie mit bis zu 24 A (tp = 8/20 μs) ausgelegt und kann zur Erfüllung der gängigen Industrienorm für Spannungsstöße von ±1 kV gemäß IEC 61000-4-5 (R_S = 42 Ω, C_S = 0,5 μF) eingesetzt werden. Der TDS5311P von Semtech ist in einem 2.0 mm x 2.0 mm kleinen, 6-Pin-DFN-Gehäuse untergebracht und bietet eine erhebliche Platzersparnis auf dem Board gegenüber herkömmlichen SMAJ- und SMBJ-Bauteilen.