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QPD1016L

Name: Qorvo QPD1016L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1016L
Price: 1229.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD1016L

Herst.- Nr.:

QPD1016L

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr

Datenblatt:

QPD1016L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	NI-780
Transistorpolung:	P-Channel
Id - Drain-Gleichstrom:	1 A
Pd - Verlustleistung:	714 W
Marke:	Qorvo
Verstärkung:	18 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	50 V
Maximale Betriebsfrequenz:	1.7 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	537 W
Verpackung:	Waffle
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD1016L
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN

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Datenblatt

QPD1016L Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

QPD1016L GaN-HF-Transistor

Der Qorvo QPD1016L GaN-HF-Transistor ist ein vorabgestimmter diskreter 500-W -Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid-High-Electron-Mobility-Transistor (GaN-auf-SiC-HEMT), der von DC bis 1,7 GHz betrieben wird. Der QPD1016L bietet eine lineare Verstärkung von 18 dB bei 1,3 GHz und verfügt über einen Drain-Wirkungsgrad von 67 % bei 3 dB Kompression. Das Bauteil kann gepulste und lineare Betriebsabläufe unterstützen.