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NCV57001FDWR2G

Name: onsemi NCV57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001FDWR2G
Price: 4.33 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV57001FDWR2G

Herst.- Nr.:

NCV57001FDWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Datenblatt:

NCV57001FDWR2G Datenblatt

ECAD Model:

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	4,33 €	4,33 €
	2,86 €	28,60 €
	2,82 €	70,50 €
	2,30 €	230,00 €
	2,19 €	1.095,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2,02 €	2.020,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCV57001FDWR2G
Montageart:	SMD/SMT
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Anstiegszeit:	10 ns
Abfallzeit:	15 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	PH
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V

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Datenblatt

NCV57001FDWR2G Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCV57001F IGBT-Gate-Treiber

Der onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber ist ein Hochstrom-Einkanal-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, der für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde. Dieser Gate-Treiber verfügt über komplementäre Eingänge, Open-Drain-FAULT- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise UVLOs, DESAT-Schutz und Sanftabschaltung bei DESAT. Der onsemi NCV57001F IGBT-Gate-Treiber nimmt sowohl 5-V- als auch 3,3-V-Signale auf der Eingangsseite und einen großen Vorspannungsbereich auf der Treiberseite auf und verfügt über eine negative Spannungsbelastbarkeit. Dieser Gate-Treiber bietet eine galvanische Trennung von >5kV_rms (UL1577-Einstufung) und sind >1.200 V_IORM -fähig (Betriebsspannung). Zu den typischen Applikationen gehören Automotive-Netzteile, HEV/EV-Antriebsstrang, BSG-Wechselrichter und Thermistoren mit positivem Temperaturkoeffizient (PTC).

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.