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NTBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D7N10MCTXG
Price: 6.64 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBLS1D7N10MCTXG

Herst.- Nr.:

NTBLS1D7N10MCTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

Datenblatt:

NTBLS1D7N10MCTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	3,47 €	347,00 €
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	3,23 €	6.460,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	272 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	115 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	295 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	220 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Serie:	NTBLS1D7N10MC
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	76 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	48 ns

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Datenblatt

NTBLS1D7N10MCTXG Datenblatt

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS1D7N10MC Einkanal n-Typ MOSFET

Der NTBLS1D7N10MC n-Einkanal-MOSFET von onsemi verfügt über einen niedrigen R_DS(on) und reduziert Leitungsverluste, wodurch ein effizientes Leistungsmanagement gewährleistet wird. Der NTBLS1D7N10MC von onsemi verfügt über niedrige Qg- und Kapazitätswerte, was die Schaltgeschwindigkeit erhöht und die Energieverluste reduziert. Die Verwendung einer weicheren Erholungsdiode trägt zusätzlich zur verbesserten Leistung bei, indem Schaltgeräusche und mögliche elektromagnetische Störungen minimiert werden. Der NTBLS1D7N10MC ist bleifrei und entspricht den modernen Herstellungsstandards und Vorschriften.