EasyDUAL™ 1B-IGBT-Module

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B-IGBT-Module mit CoolSiC™ MOSFETs bieten eine sehr geringe Streuinduktivität und einen hervorragenden Wirkungsgrad, der höhere Frequenzen, eine höhere Leistungsdichte und einen reduzierten Kühlbedarf ermöglicht. Die 1200 V, 8 mΩ Halbbrückenmodule umfassen einen integrierten NTC-Temperatursensor und eine PressFIT-Kontakttechnologie. Wärmeleitmaterial ist auf den xHP_B11-Varianten verfügbar. Diese Bauteile verfügen über empfohlene Gate-Treiber-Spannungsbereiche von 0 bis 5 V und +15 V bis +18 V, maximale Gate-Source-Spannungen von +23 V oder -10 V und Drain-Source-On-Widerstandsoptionen von 17 m Ω oder 33 mΩ. Integrierte Montageklemmen bieten eine robuste Montagesicherheit.

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Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule EASY
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Diskrete Halbleitermodule Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
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Half Bridge Si M1H Tray