Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 8.24 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

65-EPC2361

Herst.- Nr.:

EPC2361

Herst.:

EPC

Beschreibung:

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

EPC2361 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu EPC EPC2361

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	EPC
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	133 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	eGaN FET
Technologie:	GaN
Marke:	EPC
Konfiguration:	Single
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Power Transistor
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	35,200 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

EPC2361 Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EPC2361 eGaN® FET

EPC EPC2361 Enhancement-Mode Gallium Nitride Field-Effect Transistor (eGaN^® FET) is a 100V power transistor engineered for efficient power conversion. The device offers a typical 0.75mΩ on-resistance, high-current capability, ultra-low gate charge, and zero reverse-recovery charge. These characteristics support high switching frequencies and reduced power losses in demanding applications.

EMPFOHLENE PRODUKTE

EPC

EPC2305 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Offers a low-inductance 3mm x 5mm QFN package with an exposed top for excellent thermal management.

Mehr erfahren

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Handles tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous.

Mehr erfahren

EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Engineered for high-frequency DC-DC applications and 48V BLDC motor drives.

Mehr erfahren

Alle neuen Produkte von EPC anzeigen

Auf Lager: 11.735

Lagerbestand:: 11.735

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 18.000

erwartet ab 18.02.2027
Lieferzeit ab Hersteller:: 18

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8,24 €	8,24 €
	4,54 €	45,40 €
	4,18 €	418,00 €
	3,92 €	1.960,00 €
	3,59 €	3.590,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	3,35 €	10.050,00 €

EPC2361

Teilen

Herst.: EPC

Beschreibung: GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Technische Daten

Dokumente (1)

Datenblatt

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

EPC2361 eGaN® FET

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE EPC

Auf Lager: 11.735

Preis (EUR)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

EPC

Beschreibung:

GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

EMPFOHLENE PRODUKTE

EPC