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FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 5.85 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDB0250N807L

Herst.- Nr.:

FDB0250N807L

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Datenblatt:

FDB0250N807L Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	5,85 €	5,85 €
	3,94 €	39,40 €
	2,85 €	285,00 €
	2,57 €	1.285,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	2,57 €	2.056,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Serie:	FDB0250N807L
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Kanalmodus:	Enhancement
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	KR
Abfallzeit:	39 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	113 S
Id - Drain-Gleichstrom:	240 A
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Pd - Verlustleistung:	214 W
Produkt-Typ:	MOSFETs
Qg - Gate-Ladung:	143 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6 mOhms
Anstiegszeit:	64 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Handelsname:	PowerTrench
Transistorpolung:	N-Channel
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	79 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Gewicht pro Stück:	1,600 g

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Datenblatt

FDB0250N807L Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDB0250N807L n-Kanal MOSFET

Der onsemi FDB0250N807L n-Kanal-MOSFET nutzt das fortschrittliche PowerTrench^®-Verfahren zur Reduzierung des Einschaltwiderstands. Dieses Verfahren bietet eine überlegene Robustheit und Schaltleistung für industrielle Applikationen. Die Merkmale umfassen schnelle Schaltgeschwindigkeit, niedrige Gatter-Ladung sowie hohe Leistungs- und Stromverarbeitungskapazität. Der FDB0250N807L MOSFET wird bei industriellen Motorenantrieben, Netzteilen, batteriebetriebenen Werkzeugen, Lastschaltern, USV und Energie-Wechselrichtern eingesetzt.