NVTFS6H860NL Einzeln-n-Kanal Leistungs-MOSFETs
Der NVTFS6H860NL Einzel-n-Kanal Leistungs-MOSFET von onsemi ist kompakt und effizient konstruiert, und bietet eine hohe thermische Leistung. Dieser MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Drain-Source-Widerstand (RDS(on)) zur Minimierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste. Der NVTFS6H860NL MOSFET ist AEC-Q101- qualifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET von onsemi wird in einem 3,3 mm x 3,3 mm Gehäuse geliefert. Typische Applikationen umfassen Batterie-Umpolungsschutz, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken) und Schaltnetzteile.
