NTTFSSCH1D3N04XL

onsemi
863-NTTFSSCH1D3N04XL
NTTFSSCH1D3N04XL

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs T10S 40V PC33 SOURCE DOWN

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 156

Lagerbestand:
156
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
10.000
erwartet ab 05.06.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
24
Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
2,21 € 2,21 €
1,43 € 14,30 €
1,02 € 102,00 €
0,851 € 425,50 €
0,789 € 789,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
0,671 € 3.355,00 €

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
onsemi
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN-9
N-Channel
1 Channel
40 V
207 A
1.3 mOhms
20 V
2.2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 123 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Serie: NTTFSSCH1D3N04XL
Verpackung ab Werk: 5000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 43 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Onsemi n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind für kompakte und effiziente Designs mit einem kleinen Footprint ausgelegt. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(ON), eine geringe QG und Kapazität zur Minimierung von Leitungs- und Treiberverlusten. Diese MOSFETs sind in 40 V, 60 V und 80 V Drain-Source-Spannungen und einer ±20 V Gate-Source-Spannung erhältlich. Die n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind bleifrei und RoHS-konform.

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

Der Onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET ist für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist. Dieser 40 V, 207 A, n-Einkanal-Leistungs-MOSFET bietet einen niedrigeren On-Widerstand, eine erhöhte Leistungsdichte und eine hervorragende thermische Leistung. Das Shield-Gate-Trench-Design bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen 1,3 mΩ RDS (on). Das kompakte 3,3 mm x 3,3 mm dual-cool-GEN2-Quellenabwärtsgehäuse ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHs-konform. Der Onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench-MOSFET ist zur Bereitstellung einer effizienten LÖSUNG für Rechenzentrums- und Cloud-Applikationen ausgelegt.