650 V GaN-HEMT-Leistungsstufen-Evaluierungsboards

Die ROHM Semiconductor 650 V GaN HEMT Leistungsstufen-Evaluierungsboards werden zur Evaluierung der 650 V GaN HEMT-Leistungsstufen-ICs verwendet. Die ROHM Semiconductor BM3G007MUV-EVK-003 Platine besteht aus dem BM3G007MUV (GaN FET (650 V 70mΩ), integriertem Treiber und Schaltung) und einer Platine, auf der periphere Bauelemente montiert sind. Die BM3G015MUV-EVK-003 Evaluierungsboard besteht aus dem BM3G015MUV (GaN FET (650 V 150mΩ), integriertem Treiber und Schaltung) und einer Platine, auf der Bauelemente montiert sind. Die BM3G007MUV-EVK-002 Referenzplatine gibt 400 V Spannung vom Eingang von 90 Vac bis 264 Vac aus.