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IKW20N60T

Name: Infineon IKW20N60T
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW20N60T
Price: 3.18 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW20N60T

Herst.- Nr.:

IKW20N60T

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

Datenblatt:

IKW20N60T Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	2,07 €	20,70 €
	1,63 €	163,00 €
	1,35 €	648,00 €
	1,31 €	1.572,00 €

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

IKW20N60TFKSA1

Verpackung:

Tube

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3,80 €

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Herst.:

Infineon Technologies

Herst.- Nr.:

IKW20N60TFKSA1

Beschreibung:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.5 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	41 A
Pd - Verlustleistung:	166 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT3
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	SP000054886 IKW2N6TXK IKW20N60TFKSA1
Gewicht pro Stück:	38 g

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Product Catalogs

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.