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RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 3.13 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3S100AAFRATL

Herst.- Nr.:

RD3S100AAFRATL

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

Datenblatt:

RD3S100AAFRATL Datenblatt

ECAD Model:

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	2,06 €	20,60 €
	1,44 €	144,00 €
	1,26 €	630,00 €
	1,15 €	1.150,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1,07 €	2.675,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	190 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	182 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	52 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	85 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	75 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Serie:	RD3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	140 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Artikel # Aliases:	RD3S100AAFRA
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Datenblatt

RD3S100AAFRATL Datenblatt

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Automotive-Bauteile

ROHM Automotive-Bauteile tragen mit ihrer langfristigen und stabilen Produktversorgung zur Entwicklung des Automotive-Sektors und der nächsten Generation von Fahrzeugen bei. Das umfangreiche Sortiment an Bauteilen von ROHM unterstützt zunehmende Computersysteme und Konnektivität. ROHM konzentriert sich auf Sicherheit, Komfort und Ökologie und bietet gleichzeitig optimale Lösungen für die Anforderungen der Kunden.

RD3S100AAFRA n-Kanal- Leistungs-MOSFET mit 190 V und 10 A

Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 190 V und 10 A der Baureihe RD3S100AAFRA von ROHM Semiconductor verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Der RD3S100AAFRA MOSFET kann einfach für den parallelgeschalteten Einsatz eingerichtet werden. Der RD3S100AAFRA Leistungs-MOSFET von ROHM ist für Schaltnetzteil-Applikationen ausgelegt.

RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen der Baureihe RD3x von ROHM Semiconductor sind hochleistungsfähige Schalt- und Gleichrichterbauteile, die für den Einsatz in einer großen Auswahl von Strom- und Signalapplikationen konzipiert sind. Die gemäß AEC-Q101 qualifizierten Bauteile der Baureihe RD3x von ROHM zeichnen sich durch niedrige Durchlassspannung, eine schnelle Recoveryzeit und hohe Stromstoßbelastbarkeit aus, wodurch diese MOSFETs ideal für die effiziente Leistungsumwandlung und den Schutz von kompakten elektronischen Systemen geeignet sind. Mit auf Fahrzeuganwendungen, Industrie und Unterhaltungselektronik zugeschnittenen Optionen unterstützt die RD3-Produktfamilie Applikationen wie DC/DC-Wandler, Motortreiber, LED-Beleuchtung und batteriebetriebene Bauteile. Ein kompaktes SMD-Gehäuse (TO-252-3) und ein niedriger Ableitstrom tragen zu platzsparenden und energieeffizienten Designs bei, während die hohe Zuverlässigkeit ein stabiles Betriebsverhalten auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet.