SIS176LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS176LDN-T1-GE3
SIS176LDN-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

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0,758 € 7,58 €
0,514 € 51,40 €
0,411 € 205,50 €
0,372 € 372,00 €
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
70 V
42.3 A
10.9 mOhms
- 12 V, 12 V
1.6 V
12.6 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 60 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns
Serie: SIS
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

PowerPAK® 1212-MOSFETs

Die POWERPAK ® 1212 MOSFETs von Vishay  eignen sich hervorragend für Schaltapplikationen, verfügen über einen Einschaltwiderstand von ca. 1 m,Ω und können bis zu 85A verarbeiten. Das Vishay  POWERPAK 1212 führt eine Gehäusetechnologie ein, um das Risiko einer Verschlechterung von Hochleistungs-Chips zu verringern. Dieses Gehäuse bietet eine extrem niedrige thermische Impedanz in einem kompakten Design, wodurch es sich hervorragend für Applikationen mit eingeschränktem Platz eignet.

SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S)

Vishay / Siliconix SiS176LDN 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S) nutzen die TrenchFET®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET-Technologie. Die SIS176LDN MOSFETs verfügen über eine sehr niedrige RDS Qg -Gütezahl (FOM) und sind auf den niedrigsten RDS Qoss -FOM abgestimmt. Die 70-V-n-Kanal-MOSFETs (D-S) von Vishay / Siliconix eignen sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung, primärseitige Schalter, DC/DC-Wandler und Motorantriebsschalter-Applikationen.