GANB4R8-040CBAZ

Nexperia
771-GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
2,49 € 2,49 €
1,62 € 16,20 €
1,58 € 79,00 €
1,12 € 112,00 €
0,929 € 464,50 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0,903 € 2.257,50 €
0,783 € 3.915,00 €
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Nexperia
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-22
N-Channel
1 Channel
20 A
- 6 V, + 6 V
15.8 nC
- 40 C
+ 125 C
13 W
Enhancement
Marke: Nexperia
Konfiguration: Single
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: GaN FETs
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Technologie: GaN
Artikel # Aliases: 934667630341
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GANB4R8-040CBA Bidirektionaler GaN FET

Beim GANB4R8-040CBA bidirektionalen GaN FET von Nexperia handelt es sich um einen 40 V, 4,8 mΩ bidirektionalen Galliumnitrid (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). Der GANB4R8-040CBA ist ein normalerweise ausgeschalteter Emode-FET, der eine hervorragende Leistung bietet. Der GANB4R8-040CBA von Nexperia ist in einem Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) erhältlich.