700 V CoolGaN™-G4-Leistungstransistoren

Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G4-Leistungstransistoren sind GaN-on-Si-Leistungstransistoren im Enhancement-Modus, deren Eigenschaften hohe Ströme, hohe Durchbruchspannungen und hohe Schaltfrequenzen ermöglichen. Die GaN-Systeme zeichnen sich durch branchenführende Fortschritte aus, wie z. B. das Zelllayout der patentierten Island Technology^® zur Realisierung von Hochstrom-Chips und hoher Ausbeute. Diese 700 V CoolGaN-Leistungstransistoren ermöglichen Designs mit extrem hoher Leistungsdichte und einen hohen Systemwirkungsgrad bei der Leistungsschaltung. Die GS-065 Leistungstransistoren sind in einem PDFN-Gehäuse mit Kühlung auf der Unterseite untergebracht. Diese Leistungstransistoren bieten einen sehr niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand, wodurch sie sich hervorragend für anspruchsvolle Hochleistungsapplikationen eignen. Einige der Applikationen umfassen Rechenzentrums- und Computerlösungen, Netzadapter, LED-Beleuchtungstreiber, Schaltstromversorgungen (SNT), drahtlose Energieübertragung und Motorantriebe.