WNS Silicon Carbide Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNS Silicon Carbide Schottky Diodes are designed for high-frequency switched-mode power supplies. These diodes feature highly stable switching performance, extremely fast reverse recovery time, superior efficiency to silicon diode alternatives, and reduced losses in associated MOSFET. The WNS Schottky diodes offer up to 1200V of repetitive peak reverse voltage and a -55°C to 175°C storage temperature range. Typical applications include power factor correction, telecom/server SMPS, UPS, PV inverter, PC Silverbox, LED/OLED tv, and motor drives.

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Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
If - Durchlassstrom
WeEn Semiconductors SiC Schottky Dioden WNSC5D04650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 1.000

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 650 V 1.45 V 4 A
WeEn Semiconductors SiC Schottky Dioden WNSC5D06650/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2L 650 V 1.45 V 6 A
WeEn Semiconductors WNSC2D151200W6Q
WeEn Semiconductors Schottky Dioden & Gleichrichter WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Schottky Diodes & Rectifiers