NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule

Onsemi   NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT-Leistungsmodule sind 1.200 V, 800 A eingestufte Halbbrücken-IGBT-Leistungsmodule. Diese Module enthalten Field-Stop-Trench-7-IGBTs und Gen-7-Dioden für geringe Leitungs- und Schaltverluste. Dies ermöglicht Designern einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit. Zu den typischen Applikationen gehören Motorantriebe, Servoantriebe, kommerzielle Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV), Solarantriebe und USV.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
onsemi IGBT-Module 1200V 800A QDUAL3
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi IGBT-Module 1200V 800A QDUAL3
Datenblatt
60Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray