NSV40301MZ4T3G

onsemi
863-NSV40301MZ4T3G
NSV40301MZ4T3G

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 3.0 A, 40 V Low VCE(sat) NPN Power Bipolar Junction Transistor AEC-Q101

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onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-223-4
NPN
Single
5 A
40 V
40 V
6 V
2 W
215 MHz
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
NSS40301MZ4
Reel
Cut Tape
Marke: onsemi
Kollektorgleichstrom: 3 A
DC Stromverstärkung hFE max.: 500
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 4000
Unterkategorie: Transistors
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

NSV40301MZ4 Bipolarer Leistungstransistor

Der bipolare Leistungstransistor NSV40301MZ4 von onsemi ist ein NPN-Transistor mit einer Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und niedriger VCE (sat) mit hohem Gain. Dieser bipolare Transistor verfügt über eine DC-Kollektor-Emitter-Spannung von 40 VDC, einen Basisstrom von 1 ADC und einen Betriebs- und Speicher-Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Der bipolare Leistungstransistor der Baureihe NSV40301MZ4 ist blei-, halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Spannungsregelung, Leistungsmanagement für tragbare Geräte, Schaltregler, Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler.