BCXxT 1-A-Sperrschicht-Bipolartransistoren mit 80 V

Nexperia BCXxT 1-A-Sperrschicht-Bipolartransistoren (BJT) mit 80 V bieten eine hohe Verlustleistungsbeständigkeit in einem oberflächenmontierbaren (SMD) SOT89-Kunststoffgehäuse (SC-62). Die BJTs bieten eine Kollektor-Emitter-Spannung VCEO von 45 V (BCX51T und BCX54T), 60 V (BCX52T und BCX55T) und 80 V (BCX53T und BCX56T).Diese Bauteile verfügen über eine hohe Kollektorstrombelastbarkeit IC und ICM. Die BCX51T, BCX52T, BCX53T, BCX54T, BCX55T und BCX56T eignen sich hervorragend für eine große Auswahl von Applikationen, einschließlich Linear-Spannungsregler, Leistungsmanagement und High-Side-Schalter. Die BJTs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und sind EU-/CN-RoHS-konform.

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Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
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Nexperia Bipolartransistoren - BJT SOT89 45V 1A NPN MED PWR
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