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DMN52D0LT-7

Name: Diodes Incorporated DMN52D0LT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN52D0LT-7
Price: 0.24 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMN52D0LT-7

Herst.- Nr.:

DMN52D0LT-7

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K

Datenblatt:

DMN52D0LT-7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,249 €	0,25 €
	0,154 €	1,54 €
	0,096 €	9,60 €
	0,071 €	35,50 €
	0,063 €	63,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,04 €	120,00 €
	0,035 €	840,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT523-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	50 V
Id - Drain-Gleichstrom:	350 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	490 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	41 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.3 ns

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Datenblatt

DMN52D0LT-7 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET

Der DMN52D0LT N-Kanal-Enhancement-Modus MOSFET von Diodes Incorporated wurde entwickelt, um R_{DS (ON)} zu minimieren und eine beeindruckende Schaltleistung beizubehalten. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, eine geringe Eingangskapazität, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und ein ESD-geschütztes Gate aus. Der DMN52D0LT-MOSFET bietet geringe Eingangs-/Ausgangskriechverluste und ist AEC-Q100/101/104/200-zertifiziert und PPAP-fähig. Dieser MOSFET ist bleifrei, RoHS-konform und arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen sind Motorantriebe, Power-Management-Funktionen und Lastschaltungen.