SiC660 60 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC660 60 A VRPower® von Vishay Semiconductors ist eine integrierte Hochfrequenz-Leistungsstufe, die für synchrone Abwärtswandleranwendungen ausgelegt ist. Die SiC660 von Vishay Semiconductors bietet hohe Stromstärke, einen hohen Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte mit minimalem Abschaltstrom. Sie ist im kompakten 5 mm x 5 mm MLP-Gehäuse von Vishay untergebracht und unterstützt Spannungsregler, die bis zu 60 A Dauerstrom pro Phase liefern. Ihre internen Leistungs-MOSFETs, die auf der fortschrittlichen TrenchFET® -Technologie von Vishay basieren, reduzieren Schalt- und Leitungsverluste und bieten so eine branchenführende Leistung.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Typ Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Treiber Anzahl der Ausgänge Ausgangsstrom Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie
Vishay Gate-Treiber 60A POWER STAGE 19.017Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT MLP55-31L 1 Driver 1 Output 60 A 2.5 V 16 V - 40 C + 125 C SIC

Vishay Gate-Treiber 60A POWER STAGE 2.842Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Driver ICs - Various Low-Side SMD/SMT MLP55-31L 1 Driver 1 Output 60 A 2.5 V 16 V - 40 C + 125 C SIC