CY62 Asynchronous SRAM

Infineon Technologies CY62 Asynchronous SRAMs integrate single-bit error correction capability and bit-interleaving techniques to mitigate the effects of soft errors. The result is a family of devices that provide best-in-class features and the highest levels of reliability. With the performance to serve a wide variety of industrial, communication, data processing, medical, consumer, and military applications, the latest technology Fast and MOBL™ SRAM devices are form-fit-function compatible with existing Asynchronous SRAM devices based on older technology nodes.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
382Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2.400
Mult.: 2.400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4.800
Mult.: 4.800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray