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IPDQ60R010S7AXTMA1

Name: Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-DQ60R010S7AXTMA1
Price: 17.9 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-DQ60R010S7AXTMA1

Herst.- Nr.:

IPDQ60R010S7AXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

Datenblatt:

IPDQ60R010S7AXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	318 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	694 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	750
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPDQ60R010S7A SP002063384

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ S7A 600-V-SJ-Leistungsbauteil

Das Infineon Technologies CoolMOS™ S7A 600-V-SJ-Leistungsbauteil ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter ausgelegt ist. Das Bauteil ist gemäß dem Superjunctionprinzip (SJ) von Infineon Technologies ausgelegt. Das Bauteil kombiniert die Erfahrungswerte des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation für einen niedrigen_RDS(on) in einem QDPAK-Gehäuse. Die S7A-Baureihe ist für Niederfrequenzschaltungen und Hochstrom-Applikationen, wie z. B. Leistungsschalter, optimiert.