IPDQ60R010S7AXTMA1

Infineon Technologies
726-DQ60R010S7AXTMA1
IPDQ60R010S7AXTMA1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Marke: Infineon Technologies
Kanalmodus: Enhancement
Land der Bestückung: MY
Land der Verbreitung: DE
Ursprungsland: DE
Id - Drain-Gleichstrom: 50 A
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Pd - Verlustleistung: 694 W
Produkt-Typ: MOSFETs
Qg - Gate-Ladung: 318 nC
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 10 mOhms
Verpackung ab Werk: 750
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 600 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 4.5 V
Artikel # Aliases: IPDQ60R010S7A SP002063384
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ S7A 600-V-SJ-Leistungsbauteil

Das Infineon Technologies CoolMOS™ S7A 600-V-SJ-Leistungsbauteil ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter ausgelegt ist. Das Bauteil ist gemäß dem Superjunctionprinzip (SJ) von Infineon Technologies ausgelegt. Das Bauteil kombiniert die Erfahrungswerte des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation für einen niedrigenRDS(on) in einem QDPAK-Gehäuse. Die S7A-Baureihe ist für Niederfrequenzschaltungen und Hochstrom-Applikationen, wie z. B. Leistungsschalter, optimiert.