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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=130W F=1MHZ
Datenblatt
966Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN 8?8-OS PD=139W F=1MHZ
Datenblatt
2.487Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 245 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
Datenblatt
207Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Datenblatt
77Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 30 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
Datenblatt
61Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
74Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Datenblatt
17Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
73erwartet ab 26.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel