NVMFS5C604N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der N-Einkanal-Leistungs-MOSFET NVMFS5C604N von onsemi verfügt über einen Dauersenkenstrom von 288 A, einen RDS(ON) von 1,2 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 60 V. Das Bauteil NVMFS5C604N ist in einem 5 mm x 6 mm großen Flachgehäuse mit Anschlussleitungen erhältlich, das speziell für kompakte und effiziente Designs entwickelt wurde. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
onsemi MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 60 V 288 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T6 60V HEFET
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs T6 60V HEFET
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3.000erwartet ab 19.06.2026
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO
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Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 60 V 287 A 1.2 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T6 60V HEFET
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
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Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 40 A, 287 A 930 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 120 nC - 55 C + 175 C 3.9 W, 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel