Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si 60 V 4.2 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si 60 V 33 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si 60 V 33 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si 60 V 18 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 45 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 60 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si 30 V 90 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 107 nC Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si 30 V 115 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 42 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 15 A 68 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si 60 V 16 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 48 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 40 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 28 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 6 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 4.6 A 71 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15.5 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 6.4 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 6.8 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 4.6 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 5.2 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 4.9 A 64 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 14 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 20 V 6.6 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel