Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Ergebnisse: 130
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 325 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 1.7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 1.6 A 200 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 1.1 A 370 mOhms - 8 V, 8 V 1.3 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 750 mA 400 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 198.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 900 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.2 A 380 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 3.3 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 6.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Rolle: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 2.2 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 10 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 6.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 30 V 8 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 3.2 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Rolle: 3.000

Si 60 V 3.2 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC Reel
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si 30 V 35 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
Rolle: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5.000

Si 60 V 11 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC Reel, Cut Tape, MouseReel