CY15B004Q Serielle (SPI) 4-Kbit-Automotive-F-RAM

Der CY15B004Q serielle (SPI) 4-Kbit-Automotive-F-RAM von Cypress Semiconductor ist ein nichtflüchtiger Speicher, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet. Der ferroelektrische Random-Access-Speicher oder F-RAM ist nichtflüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge, die mit einem RAM vergleichbar sind, durch. Der CY15B004Q bietet eine zuverlässige Datenhaltung für 121 Jahre und beseitigt gleichzeitig Komplexitäten, Gemeinkosten und Probleme auf Systemebene, die durch einen seriellen Flash, EEPROM und weiteren nichtflüchtigen Speichern hervorgerufen werden.

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Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies F-RAM F-RAM Memory Serial
Datenblatt
913Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

16 kbit SPI 16 MHz 2 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 125 C CY15E016Q Tube
Infineon Technologies F-RAM F-RAM Memory Serial
Datenblatt
991Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit SPI 10 MHz, 16 MHz 512 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B004Q Tube
Infineon Technologies F-RAM F-RAM Memory Serial
Datenblatt
1.294Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit SPI 16 MHz 8 k x 8 SOIC-8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B064Q Tube
Infineon Technologies F-RAM F-RAM Memory Serial
Datenblatt
1.173Auf Lager
2.500erwartet ab 23.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

64 kbit SPI 16 MHz 8 k x 8 SOIC-8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B064Q Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies F-RAM F-RAM Memory Serial
Datenblatt
9Auf Lager
970erwartet ab 03.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit I2C 1 MHz 8 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15B064J Tube
Infineon Technologies F-RAM F-RAM Memory Serial
Datenblatt
197Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit SPI 16 MHz 8 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 125 C CY15E064Q Tube