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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Microchip Technology APTGX300A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-DP3
Datenblatt
10erwartet ab 25.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-DP3
Datenblatt
10erwartet ab 25.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX600A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-DP3
Datenblatt
10erwartet ab 25.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 600 A 200 nA 2.272 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-DP3
Datenblatt
10erwartet ab 25.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX900A170TDP3EG
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-DP3
Datenblatt
10erwartet ab 25.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 900 A 300 nA 3.26 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology APTGX300A120TDP3EG
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-DP3
Datenblatt
10erwartet ab 25.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.6 V 300 A 150 nA 1.311 kW - 40 C + 175 C