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NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 31.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L028N170M1

Herst.- Nr.:

NTH4L028N170M1

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 28 mohm, 1700 V, M1, TO-247-4L

Datenblatt:

NTH4L028N170M1 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.7 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	81 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	40 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.3 V
Qg - Gate-Ladung:	200 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	535 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	31 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	NTH4L028N170M1
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	121 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	47 ns

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Datenblatt

NTH4L028N170M1 Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1-EliteSiC-MOSFETs

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NTH4L028N170M1 1700 V EliteSiC-MOSFET

Der onsemi NTH4L028N170M1 EliteSiC-MOSFET von1.700 V bietet eine zuverlässige, hocheffiziente Leistung für Energieinfrastruktur- und Industrieantriebs-Applikationen. Der EliteSiC-MOSFET von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannung-Drives arbeitet und Spitzen auf dem Gate ausschalten. Dieses Bauteil hat eine optimale Leistung, wenn es mit einem 20-V-Gate-Drive angesteuert wird, funktioniert aber auch gut mit einem 18-V-Gate-Drive.

Lösungen zur Energiespeicherung

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