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NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 1.36 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FD5877NLWFT1G-UM

Herst.- Nr.:

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NVMFD5877NLWFT1G-UM Datenblatt

ECAD Model:

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	0,859 €	8,59 €
	0,574 €	57,40 €
	0,452 €	226,00 €
	0,392 €	392,00 €
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	39 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	23 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	3.9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15.8 ns
Serie:	NVMFD5877NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.1 ns

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Datenblatt

NVMFD5877NLWFT1G-UM Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

Der Dual-n-Kanal-MOSFET der Baureihe NVMFD5877NL von onsemi ist für kompakte und effiziente Designs konzipiert und bietet eine hohe thermische Leistung. Dieser n-Kanal-MOSFET bietet eine Option mit benetzbaren Flanken für eine verbesserte optische Inspektion. Der MOSFET der Baureihe NVMFD5877NL zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand zur Minimierung der Leitungsverluste und eine niedrige Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste aus. Dieser n-Kanal-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig. Der MOSFET der Baureihe NVMFD5877NL ist für Fahrzeuganwendungen wie z. B. Magnetspulentreiber und Low-Side/High-Side-Treiber geeignet.