Ergebnisse: 12
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Qualifikation
Verpackung

onsemi IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
Datenblatt
502Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube

onsemi IGBTs 650V/75A FS TRENCH IGBT
Datenblatt
858Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.69 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD AEC-Q101 Tube
onsemi IGBTs 600 V 80 A 79 W
Datenblatt
521Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 115 W - 55 C + 175 C FGAF40N60SMD Tube

onsemi IGBTs 650V 150A 187W
Datenblatt
342Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 150 A 187 W - 55 C + 175 C FGH75T65UPD Tube
onsemi FGH40T65SHD-F155
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO247 40A 650V
Datenblatt
460Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHD Tube
onsemi IGBTs 650V, 60A Field Stop IGBT
Datenblatt
800Auf Lager
450erwartet ab 01.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C FGA60N65SMD Tube

onsemi IGBTs 650V FS3 Trench IGBT
Datenblatt
635Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDT Tube

onsemi IGBTs 650 V 100 A 240 W
Datenblatt
81Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 340 W - 55 C + 175 C FGH50T65UPD Tube
onsemi IGBTs 650V, 40A Field Stop IGBT
Datenblatt
321Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 349 W - 55 C + 175 C FGA40N65SMD Tube
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO3PN 40A 650V
Datenblatt
65Auf Lager
450erwartet ab 20.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3PN Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGA40T65SHD Tube
onsemi FGH60T65SHD-F155
onsemi IGBTs FS3TIGBT TO247 60A 650V
Datenblatt
859Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 349 W - 55 C + 175 C FGH60T65SHD Tube

onsemi IGBTs 650V FS Gen3 Trench IGBT
Datenblatt
117Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH40T65SHDF Tube