QH8J Pch Leistungs-MOSFETs

Die QH8J Pch Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind in einem A -Hochleistungs-small-mold-Gehäuse (TSMT8) untergebracht. Der ROHM bietet ein breites Spannungsangebot von Kleinsignalprodukten bis zu 800 V Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Datenblatt
2.732Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 100 V 2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.7 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Datenblatt
4.074Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 40 V 5 A 41 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Datenblatt
15.900erwartet ab 11.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A 91 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape