DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs were designed to minimize the on-state resistance RDS(on) and yet maintain superior switching performance, making them ideal for high-efficiency power management applications. The DMG1013UW/DMG1016UDW Enhancement Mode MOSFETs from Diodes Incorporated feature low On-Resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speed, and low input/output leakage.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Qualifikation Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs P-Ch -20V VDSS Enchanced Mosfet
275.690Auf Bestellung
Cut-Tape
0,284 €
0,165 €
0,129 €
0,104 €
Reel
0,057 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 750 mOhms 6 V 500 mV 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS:
118.515Auf Bestellung
Cut-Tape
0,353 €
0,204 €
0,144 €
0,122 €
Reel
0,067 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 6.000
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair
163.784Auf Bestellung
Cut-Tape
0,482 €
0,329 €
0,208 €
0,131 €
0,114 €
Reel
0,101 €
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 845 mA, 1.066 A 450 mOhms, 750 mOhms 6 V 500 mV 736.6 nC, 622.4 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel