Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Schnittstellen-Typ
Speichergröße
Organisation
Datenbus-Weite
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Datenblatt
1.978erwartet ab 15.07.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
675erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
270erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM
Datenblatt
270erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 696
Mult.: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 270
Mult.: 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel