M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

onsemi M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs sind für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert. Die Planar-Technologie arbeitet zuverlässig mit negativem Gate-Spannungsantrieb und Ausschaltspitzen auf dem Gate. Die M3S 1.200-V-MOSFETs von onsemi bieten eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktionieren aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive. Der M3S bietet geringe Schaltverluste und ist in einem TO247-4LD-Gehäuse für eine niedrige gemeinsame Quelleninduktivität untergebracht.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Datenblatt
1.634Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
Datenblatt
282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC